Top.Mail.Ru
КОНФИГУРАТОР Серверы ▶
Сетевое оборудование ▶
СХД ▶
IP-телефоны IP-камеры Источники бесперебойного питания (ИБП) Комплектующие Готовые решения Серверы под задачу
О компании Купить в лизинг Блог Отзывы Доставка Гарантия Контакты Работа у нас Реквизиты Спецпредложения Игровые ПК на ISKRAPC Заявка в тех поддержку
Эксперты в подборе IT-оборудования

Новые и перспективные типы памяти

18 сентября 2026
Новые и перспективные типы памяти

В 2026 году «новая память» - это две отдельные истории. Первая уже стоит в серверах: HBM на ускорителях, MRDIMM на Intel Xeon 6, модули расширения CXL и SOCAMM2 в ИИ-платформах NVIDIA. Вторая - энергонезависимая память вроде MRAM, FRAM, ReRAM и PCM, которую двадцать лет называли будущей заменой DRAM и флеша. Она дошла до серийных чипов, но заняла ниши: кэш в корпоративных SSD, промышленная и автомобильная электроника. Заменить оперативную память сервера ей в ближайшие годы нечем.

Ниже - что это за технологии, где они работают сейчас и какие из них уже стоит учитывать при покупке сервера.

ТехнологияЧто этоХранит данные без питанияГде используется в 2026 году
HBMСтек микросхем DRAM рядом с чипом ускорителяНетСерверные GPU и ИИ-ускорители
MRDIMMМодуль DDR5 с мультиплексированием ранговНетСерверы на Intel Xeon 6
CXL-памятьМодули DRAM на шине CXL поверх PCIeНетРасширение памяти серверов
SOCAMM2Сменный модуль LPDDR5XНетИИ-серверы NVIDIA Vera Rubin
MRAM / STT-MRAMЯчейка на магнитном туннельном переходеДаКэш SSD, промышленная электроника, встроенная память микросхем
FRAMЯчейка с сегнетоэлектрическим конденсаторомДаСчётчики, автомобили, медицина
ReRAMЯчейка, меняющая сопротивлениеДаВстроенная память микроконтроллеров
PCMМатериал, переходящий между аморфной и кристаллической фазойДаАвтомобильные микроконтроллеры
UltraRAMЭнергонезависимая память с заявленной скоростью DRAMДаПодготовка к пилотному производству
Intel Optane (3D XPoint)Память класса хранения между DRAM и SSDДаСнята с производства

Какая новая память уже работает в серверах

Всё, что попало в этот раздел, - по-прежнему DRAM, та же технология, что в обычных модулях. Новое в ней - способ подключения: ближе к процессору, быстрее по шине или в другом форм-факторе.

HBM

HBM (High Bandwidth Memory, высокопропускная память) - это несколько микросхем DRAM, сложенных стопкой и соединённых сквозными каналами через кремний. Стопка стоит на общей подложке вплотную к чипу графического процессора или ИИ-ускорителя. Короткий путь до чипа даёт пропускную способность, недоступную обычным модулям.

Купить и поставить HBM отдельно нельзя, она распаивается вместе с ускорителем. Её объём - одна из главных характеристик серверной видеокарты: от него зависит, какая модель нейросети поместится в память целиком.

В 2026 году рынок перешёл на HBM4. SK hynix подготовила массовое производство в сентябре 2025 года, Samsung начала его в феврале 2026-го, а в июне NVIDIA подтвердила, что HBM4 для платформы Vera Rubin поставляют все три крупных производителя, включая Micron. У HBM есть побочный эффект для всех, кто покупает обычную память: производство HBM забирает мощности у DRAM и подталкивает цены на серверные модули вверх. Подробнее - в разборе дефицита памяти.

Если задача упирается в объём памяти ускорителя, выбор идёт среди серверов с профессиональными картами - в разделе «gpu сервер».

MRDIMM

MRDIMM - модуль DDR5, на котором буферная микросхема одновременно работает с двумя рангами памяти и отдаёт процессору данные на удвоенной скорости. Внешне это обычная регистровая планка, но быстрее: до 8800 MT/s на процессорах Intel Xeon 6900P и до 8000 MT/s на Xeon 6500P и 6700P против 6400 MT/s у обычных RDIMM.

Важная оговорка: модули, которые сейчас продаются под Xeon 6, - это вариант, разработанный при участии Intel. Стандартом JEDEC он не является. AMD прямо пишет, что процессоры EPYC их не поддерживают и поддержка появится только вместе со стандартной версией. JEDEC в апреле 2026 года опубликовал первые спецификации второго поколения MRDIMM с прицелом на 12 800 MT/s. MRDIMM выгодна там, где процессору не хватает пропускной способности памяти: крупные базы данных в памяти, расчёты, инференс на процессоре. Для файлового сервера или 1С разницы с обычной DDR5 не будет. Почему серверы вообще переходят на пятое поколение, разобрано в статье о переходе на DDR5.

CXL-память

CXL (Compute Express Link) - шина поверх физического уровня PCIe, по которой к серверу подключают дополнительную оперативную память: платой расширения или модулем в отсеке для дисков. Это способ набрать объём сверх слотов на материнской плате, пусть и с задержкой больше, чем у памяти рядом с процессором. Как CXL устроена, какие версии стандарта есть и как её проверяют на реальном сервере, мы описали в отдельной статье про CXL.

SOCAMM2

SOCAMM2 - компактный сменный модуль с памятью LPDDR5X, той же энергоэффективной памятью, что ставят в ноутбуки. Первую версию разработала NVIDIA для своих ИИ-серверов, вторую стандартизирует JEDEC: со скоростью до 9600 MT/s и профилем SPD - служебной записью на модуле, по которой плата узнаёт его параметры. Производители заявляют для SOCAMM2 пропускную способность в два с лишним раза выше и заметно меньшее энергопотребление, чем у DDR5 RDIMM. SK hynix в апреле 2026 года запустила массовое производство модулей на 192 ГБ под платформу NVIDIA Vera Rubin.

В обычных серверах SOCAMM2 пока не встречается: это память для специализированных ИИ-платформ.

CAMM2 и CUDIMM: новое для рабочих станций

CAMM2 - стандарт JEDEC 2023 года для тонких модулей, которые крепятся к плате прижимом вместо установки в слот. DDR5 CAMM2 предназначены для производительных ноутбуков и настольных ПК, LPCAMM2 - для ноутбуков. В серверах их нет, но в выдаче по «новым типам памяти» они встречаются часто, поэтому упоминаем.

CUDIMM - модули DDR5 со встроенным тактовым драйвером для настольных платформ, которые держат высокие частоты стабильнее обычных. Чем они отличаются от привычных DIMM, рассказали в статье про CUDIMM и CSODIMM.

Энергонезависимая память: что может заменить DRAM

У DRAM и флеш-памяти давно известные ограничения. DRAM быстрая, но теряет данные без питания. Флеш хранит данные, но медленнее и изнашивается при записи. Идеальная память объединила бы оба достоинства, и под эту идею за последние тридцать лет выросло несколько технологий. Каждая из них в чём-то лучше, но ни одна не догнала DRAM по цене за гигабайт и плотности.

MRAM: магниторезистивная память

MRAM (магниторезистивная оперативная память) хранит бит в магнитном туннельном переходе. Это два тонких ферромагнитных слоя, разделённых изолятором толщиной в несколько атомов. Один слой намагничен постоянно, второй можно перемагнитить. Если направления совпадают, сопротивление перехода низкое, если противоположны - высокое. Так записываются ноль и единица, и состояние сохраняется без питания.

Разрабатывать MRAM начали ещё в 1990-х, и сейчас это серийная технология. Everspin выпускает отдельные микросхемы MRAM, в том числе STT-MRAM на 1 Гбит. Встроенную MRAM в свои технологические процессы 22 нм включили литейные фабрики GlobalFoundries, TSMC и UMC: её ставят прямо в микроконтроллеры и специализированные микросхемы вместо флеша.

В серверном мире MRAM нагляднее всего видна в корпоративных SSD. IBM использует STT-MRAM Everspin в своих модулях FlashCore для хранения таблицы соответствия блоков. При внезапном отключении питания таблица остаётся в памяти, поэтому накопителю не нужны громоздкие суперконденсаторы, которые обычно спасают кэш на DRAM.

Почему MRAM так и не заменила оперативную память, объясняется одной цифрой. Ёмкость серийных микросхем MRAM - порядка 1 Гбит, а микросхемы DRAM в серверных модулях давно измеряются десятками гигабит. При такой разнице в плотности и цене за бит MRAM выгодна там, где важны энергонезависимость, радиационная стойкость и ресурс записи, но не там, где нужны сотни гигабайт.

STT-MRAM

STT-MRAM (память с переносом спинового момента) - нынешний вариант MRAM. В первых поколениях ячейку перемагничивали магнитным полем от соседних проводников, и это мешало уменьшать ячейки. В STT-MRAM слой перемагничивает ток с поляризованными спинами электронов, проходящий прямо через ячейку. Это экономнее по энергии и лучше масштабируется, поэтому вся серийная MRAM высокой ёмкости сегодня - STT-MRAM.

Ферроэлектрическая память FRAM

FRAM (сегнетоэлектрическая память) хранит бит в поляризации сегнетоэлектрического материала в конденсаторе ячейки. Ячейка состоит из транзистора и такого конденсатора, по устройству она похожа на ячейку DRAM, но данные без питания не теряет.

Главные козыри FRAM - огромный ресурс записи и низкое энергопотребление. У микросхем Infineon Excelon заявлено до 100 триллионов циклов перезаписи, что для практических задач означает «не изнашивается». Главный минус - маленькая ёмкость: у Infineon до 16 Мбит, у RAMXEED (бывшее подразделение памяти Fujitsu, с 2025 года под новым именем) - до 8 Мбит. Поэтому FRAM живёт в счётчиках, автомобильной и промышленной электронике, медицинских приборах - везде, где нужно часто записывать немного данных. Технологию когда-то вывела на рынок Ramtron, её купила Cypress, а Cypress позже вошла в Infineon.

Резистивная память ReRAM

ReRAM (резистивная память) хранит бит в сопротивлении ячейки. Под напряжением внутри тонкого слоя диэлектрика образуется проводящая нить или перемычка из ионов, и сопротивление падает. Обратное напряжение разрушает перемычку. Состояние сохраняется без питания, поэтому ячейку называют мемристором - резистором с памятью.

Серийно ReRAM сейчас используют в основном как встроенную память. Weebit Nano предлагает свою ReRAM для производства на фабрике SkyWater, RAMXEED выпускает отдельные микросхемы. Ещё одно направление исследований - вычисления прямо в памяти для нейросетей, но до серверов это пока не дошло.

Память с изменяемым фазовым состоянием PCM (PCRAM, халькогенидная память)

PCM, её же называют PCRAM и халькогенидной памятью, использует материал, который под действием тока переходит из аморфного состояния в кристаллическое и обратно. У двух фаз разное электрическое сопротивление, по нему и читается бит. Похожие халькогенидные сплавы давно применяются в перезаписываемых оптических дисках, только там считывают отражение света, а в памяти - сопротивление.

В 2025 году STMicroelectronics запустила производство автомобильных микроконтроллеров Stellar со встроенной памятью xMemory на основе PCM по техпроцессам 18 и 28 нм. К той же семье принято относить и 3D XPoint - технологию Intel Optane, о судьбе которой ниже.

UltraRAM

UltraRAM - разработка Ланкастерского университета, которую коммерциализирует компания Quinas Technology. Авторы заявляют сочетание скорости DRAM, энергонезависимости флеша и низкого энергопотребления. В 2025 году Quinas и производитель полупроводниковых пластин IQE завершили проект по переносу выращивания нужных слоёв в промышленный процесс. Следующий шаг - пилотное производство с партнёрскими фабриками. Серийных микросхем пока нет, сроки не объявлены.

SCM-память: почему Intel Optane не взлетел

Intel Optane на технологии 3D XPoint была главной попыткой вставить между DRAM и SSD новый уровень - память класса хранения (SCM). Модули Optane Persistent Memory ставились в слоты оперативной памяти серверов Xeon и хранили данные без питания, а SSD Optane давали задержки намного ниже, чем у NAND.

Технически Optane работала, но экономически не сошлась. Micron, совладелец технологии, в марте 2021 года прекратила её разработку и продала фабрику. В июле 2022 года Intel объявила о сворачивании направления Optane. Последние заказы на серверные модули Persistent Memory 200-й серии принимались до конца 2024 года, отгрузки завершились в 2025-м.

Если в вашем сервере уже стоят модули Optane, они продолжают работать. Но расширить такую систему теми же модулями или найти им замену под гарантией становится всё сложнее, и новые проекты на них строить не стоит. Нишу, которую занимала Optane, сейчас частично закрывают быстрые NVMe SSD и CXL-память.

Лабораторные технологии

Эти варианты регулярно всплывают в новостях, но до серверов им далеко: пока это прототипы.

Голографическая память

Голографическая память записывает данные по всему объёму носителя, а не на поверхности: лазерные лучи создают в светочувствительном материале интерференционные картины, и в одном месте можно наложить несколько записей под несколькими углами или на нескольких длинах волн. Идея известна с 1960-х, прототипы строились многократно. Упирается всё в дорогую оптику и материалы, которые со временем теряют записанное под действием света.

Молекулярная память

Молекулярная память хранит данные в состояниях отдельных молекул: белков, органических соединений или ДНК. Плотность записи теоретически огромна, но запись и чтение пока медленные и дорогие, поэтому такие системы остаются предметом исследований.

Память на графеновых квантовых точках

Квантовые точки из графена исследуют как замену плавающему затвору во флеш-памяти: крошечные частицы хранят заряд и в теории дают уменьшить ячейку. Первые прототипы описывали ещё в середине 2010-х, дальше лабораторных образцов разработка пока не ушла.

Оперативная память на нанотрубках

NRAM хранила бит в положении углеродных нанотрубок, которые под напряжением касались друг друга или расходились. Компания Nantero больше двадцати лет обещала вывести её на рынок, но до серийных продуктов технология так и не дошла.

Что это значит при выборе сервера в 2026 году

Для сервера, который покупают сегодня, реальный выбор памяти по-прежнему сводится к DDR5 RDIMM и её вариантам. MRDIMM стоит рассматривать на Xeon 6, если задача упирается в пропускную способность памяти. CXL - если нужно больше памяти, чем помещается в слоты. HBM важна при выборе ускорителя под нейросети. Всё остальное из этой статьи в обозримые годы на выбор сервера не повлияет: MRAM и FRAM вы встретите разве что внутри корпоративного SSD или контроллера.

QLC, которую раньше тоже причисляли к «перспективной» памяти, давно стала массовой флеш-памятью в SSD большой ёмкости. Чем она отличается от TLC и MLC, разобрано в статье о типах памяти SSD.

Частые вопросы

Что такое MRAM простыми словами?

Это энергонезависимая оперативная память, которая хранит бит в направлении намагниченности тонкого слоя. Она быстрая и почти не изнашивается, но пока слишком малой ёмкости и дорогая, чтобы заменить DRAM. Сегодня её используют как кэш в корпоративных SSD и во встраиваемой электронике.

Чем FRAM отличается от флеш-памяти?

FRAM записывает данные быстрее, тратит меньше энергии и выдерживает на порядки больше циклов перезаписи. Но её ёмкость измеряется мегабитами, а у флеша - сотнями гигабит, поэтому FRAM ставят туда, где часто пишется немного данных.

Что такое HBM-память и можно ли её докупить?

HBM - стопка микросхем DRAM на одной подложке с графическим процессором или ИИ-ускорителем. Её объём задаётся при производстве ускорителя, докупить или заменить её нельзя.

Что может заменить оперативную память в будущем?

Кандидатов несколько: MRAM, ReRAM, PCM, UltraRAM. У каждого есть преимущество перед DRAM, чаще всего энергонезависимость, но ни один пока не догнал её по плотности и цене за гигабайт. В ближайшие годы серверная память останется DRAM в новых форм-факторах: RDIMM, MRDIMM, CXL-модули и HBM.

Подбираете сервер и не знаете, какую память и сколько закладывать?

Инженеры ITTELO подберут конфигурацию под вашу нагрузку: объём и тип памяти, процессоры, ускорители, если они нужны. Соберём и протестируем сервер под задачу перед отгрузкой, с гарантией и поддержкой после продажи. На рынке серверов 11+ лет.

Серверы в каталоге · +7 (800) 551-80-12 · info@ittelo.ru

ПОДПИСКА

НА РАССЫЛКУ
ПОЛЕЗНЫЕ СТАТЬИ, АКЦИИ
И ЗАКРЫТЫЕ РАСПРОДАЖИ
Котик подписка
Похожие статьи
Вам также может быть интересно

ТОП-5 ошибок при выборе сервера
Товар добавлен в список сравнения
Перейти в сравнение
Продолжить просмотр
Заявка в тех поддержку
Загрузка формы…
Не удалось загрузить форму. Обновите страницу или свяжитесь с нами по телефону.
Консультация
ИТ-специалиста
Оставьте контакты — свяжемся с вами в течение нескольких минут и подготовим коммерческое предложение
IT-архитектор подберет сервер под вашу задачу
Заполните форму — наш специалист свяжется с вами в течение 15 минут, уточнит задачу и подготовит коммерческое предложение
Заказать сервер
Отправим конфигурацию вам на почту. Менеджер перезвонит в течение 15 минут
Зарегистрироваться в бонусной программе
Консультация
ИТ-специалиста
Оставьте контакты — свяжемся с вами в течение нескольких минут и подготовим коммерческое предложение